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本發明涉及制備太陽能級多晶硅的方法，包括：在礦熱爐出硅過程中，向抬包底部持續通入氧化性氣體；出硅完成后，將預熔造渣劑倒入抬包中精煉；將氧化性氣體采用等離子發生器電離后注入硅液中；待反應完后，將得到的硅液注入保溫裝置中凝固，待硅錠冷卻后，打磨...該專利屬于福建興朝陽硅材料股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過福建興朝陽硅材料股份有限公司授權不得商用。
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本發明涉及制備太陽能級多晶硅的方法，包括：在礦熱爐出硅過程中，向抬包底部持續通入氧化性氣體；出硅完成后，將預熔造渣劑倒入抬包中精煉；將氧化性氣體采用等離子發生器電離后注入硅液中；待反應完后，將得到的硅液注入保溫裝置中凝固，待硅錠冷卻后，打磨...