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本實用新型的實施例公開了一種半導體器件，包括：基底，該基底包括本體層；位于本體層表面內的主結和場限環(huán)，主結的深度大于場限環(huán)的深度。本實用新型實施例提供的半導體器件通過在不同的光刻步驟下，先后形成主結和場限環(huán)，并使主結結深大于場限環(huán)結深，從而...該專利屬于中國科學院微電子研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所授權不得商用。