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一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。所述形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上依次形成刻蝕阻擋層、超低k介質(zhì)層和保護(hù)層，保護(hù)層的介電常數(shù)范圍包括：2.2～2.5，保護(hù)層具有致密的結(jié)構(gòu)；依次刻蝕保護(hù)層、超低k介質(zhì)層和刻蝕阻擋層至露出半導(dǎo)體襯底，...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。