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本發(fā)明描述了用于制造超結(jié)型溝槽功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)器件的方法。超結(jié)中的p型摻雜物柱與n型摻雜物的第一柱通過第一氧化物柱隔離開，并與n型摻雜的第二柱通過第二氧化物柱隔離開。在n溝道器件中，用于FET的柵極元件優(yōu)選地...該專利屬于威世硅尼克斯所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過威世硅尼克斯授權(quán)不得商用。