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本發明提供一種半導體器件的制造方法，包括：提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成絕緣層，且在所述絕緣層中形成銅金屬互連線；在所述絕緣層以及銅金屬互連線上形成一金屬層，并在所述金屬層上形成一掩膜；采用同步脈沖等離子體蝕刻所述金屬層，形成一圖案...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司授權不得商用。
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