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制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括在通路凹槽（112）之內(nèi)設(shè)置犧牲材料（132），在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成穿過晶片互連的第一部分（174），以及用導(dǎo)電材料代替犧牲材料，從而形成穿過晶片互連的第二部分（212）。通過該方法形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。例如，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可...該專利屬于SOITEC公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過SOITEC公司授權(quán)不得商用。