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本發(fā)明公開(kāi)一種電阻以及具有金屬柵極的晶體管與電阻的制作方法，該制作方法首先提供基底，且該基底上定義有晶體管區(qū)與電阻區(qū)。接下來(lái)，在該晶體管區(qū)與該電阻區(qū)內(nèi)分別形成晶體管與電阻，且該晶體管具有虛置柵極。隨后，移除該虛置柵極與部分該電阻，以分別于該...該專利屬于聯(lián)華電子股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)聯(lián)華電子股份有限公司授權(quán)不得商用。