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本申請案涉及使用微波進行的U-MOS溝槽型面優化和蝕刻損傷移除。本發明描述半導體裝置和用于制作這些裝置的方法。UMOS(U形MOSFET)半導體裝置可通過如下方式形成：提供半導體襯底；使用濕式或干式蝕刻過程在所述襯底中形成溝槽；以及隨后在低...
該專利屬于飛兆半導體公司所有，僅供學習研究參考，未經過飛兆半導體公司授權不得商用。

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