溫馨提示:您尚未登錄,請點 登陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種測量和表征MOS器件失配特性的系統及方法,用于測量和表征MOS器件陣列中各尺寸MOS器件的失配特性。所述系統包括MOS器件陣列模塊,地址模塊、測試模塊、計算轉換模塊、控制模塊等,可計算得到MOS器件陣列中相同尺寸的MOS器件...該專利屬于上海集成電路研發中心有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過上海集成電路研發中心有限公司授權不得商用。
溫馨提示:您尚未登錄,請點 登陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種測量和表征MOS器件失配特性的系統及方法,用于測量和表征MOS器件陣列中各尺寸MOS器件的失配特性。所述系統包括MOS器件陣列模塊,地址模塊、測試模塊、計算轉換模塊、控制模塊等,可計算得到MOS器件陣列中相同尺寸的MOS器件...