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本發(fā)明涉及一種能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件，包括外殼、電極、電光晶體，電光晶體包括從左到右依次設(shè)置的四塊低電導(dǎo)率、Ⅱ類倍頻臨界相位匹配角度切割的KTP晶體，依次旋轉(zhuǎn)90°放置；在第一、三塊KTP晶體的上、下通電面鍍金膜，在第二、四塊KTP晶體...該專利屬于山東科技大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過山東科技大學授權(quán)不得商用。