一種能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件，包括外殼、電極、電光晶體，電光晶體包括從左到右依次設(shè)置的四塊低電導(dǎo)率、Ⅱ類倍頻臨界相位匹配角度切割的KTP晶體，依次旋轉(zhuǎn)90°放置；在第一、三塊KTP晶體的上、下通電面鍍金膜，在第二、四塊KTP晶體的前、后通電面鍍金膜；從第一塊晶體的上通電面、第二塊晶體的前通電面、第三塊晶體的下通電面和第四塊晶體的后通電面引出金線，連接到正電極；從四塊晶體的另一側(cè)通電面引出金線，連接到負(fù)電極；器件電光調(diào)Q作用時(shí)采用退壓工作方式。本發(fā)明專利技術(shù)實(shí)現(xiàn)倍頻和電光調(diào)Q兩種功能的同時(shí)補(bǔ)償了走離角和靜態(tài)雙折射相位延遲，消除了晶體加壓時(shí)對(duì)相位匹配角的影響。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及一種電光Q開(kāi)關(guān)器件，具體為一種在激光器中能實(shí)現(xiàn)電光調(diào)Q和倍頻非線性效應(yīng)的器件。
技術(shù)介紹
KTP類晶體具有大的有效非線性系數(shù)和良好的電光性能，因此利用該類晶體研制光倍頻和電光復(fù)用器件的研究引起了人們極大的興趣。1994年，日本T. Takunori等用一塊lX3X5mm3的KTP晶體，對(duì)Nd: YVO4輸出的1064nm激光實(shí)現(xiàn)了同時(shí)倍頻和調(diào)Q。在重復(fù)頻率IOOHz時(shí)，調(diào)制得到脈寬為18ns的532nm脈沖激光輸出，峰值功率為15. 4ff (Takunori Taira, Takao Kobayashi. Q-switching and frequency doubling of solid-state laser by a single intracavity KTP crystal , IEEE. J. Quantum Eleronies,1994, 30(3) : 800-804)。1995年，他們又實(shí)現(xiàn)了峰值功率230W的綠光輸出(Takunori Taira, Takao Kobayashi. Intraeavity frequency doubling and Q-switching in diode laser pumped Nd:YV04 laser , APPlied Optics 1995，34(21) : 4298-4301)。1997 年，姚建銓等對(duì)KTP晶體倍頻調(diào)Q時(shí)的匹配角和外加電壓進(jìn)行了計(jì)算(J. Q. Yao, X. ff. Sun, H. S. Kwok. Analysis of simultaneous Q-switching and frequency doubling in KTP , Journal of modern optics, 1997，44(5) : 997-1004)。2000 年，陳飛等采用 2X4X IOmm3的KTP晶體，在重復(fù)頻率為1kHz，1/4電壓647V，泵浦功率IW時(shí)，實(shí)現(xiàn)了脈寬 12ns、峰值功率762W的TEMtltl模輸出，并實(shí)現(xiàn)了器件化，整個(gè)體積只有半個(gè)彩色膠卷大小(陳飛，霍玉晶，新型電光調(diào)Q內(nèi)腔綠光激光器，中國(guó)工程科學(xué)，2000，2(4) : 39-42)。以上方案中以KTP作為倍頻和電光Q開(kāi)關(guān)器件，都用了一塊KTP晶體，按照相位匹配角度切割，采用加壓工作方式。但KTP晶體存在靜態(tài)雙折射相位延遲，影響到電光調(diào)Q的關(guān)門效果；而且按照常溫下的相位匹配角度切割，在倍頻時(shí)存在走離角，影響到倍頻轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能補(bǔ)償走離角且能消除靜態(tài)雙折射相位延遲的能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件。本專利技術(shù)實(shí)現(xiàn)以上目的采取的方案為一種能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件，包括外殼、 電極、電光晶體，電光晶體包括四塊II類臨界相位匹配角度切割的KTP晶體，從左到右依次設(shè)置第一塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體、相對(duì)第一塊 KTP晶體旋轉(zhuǎn)180°放置的第三塊KTP晶體和相對(duì)第三塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第四塊 KTP晶體；在第一塊KTP晶體的上通電面鍍金膜，下通電面鍍金膜，在第二塊KTP晶體的前通電面鍍金膜，后通電面鍍金膜，在第三塊KTP晶體的上通電面鍍金膜，下通電面鍍金膜， 在第四塊KTP晶體的前通電面鍍金膜，后通電面鍍金膜；從第一塊KTP晶體的上通電面鍍金膜、第二塊KTP晶體的前通電面鍍金膜、第三塊KTP晶體的下通電面鍍金膜和第四塊KTP晶體的后通電面鍍金膜引出金線，連接到正電極；從第一塊KTP晶體的下通電面鍍金膜、第二塊KTP晶體的后通電面鍍金膜、第三塊KTP晶體的上通電面鍍金膜和第四塊KTP晶體的前通電面鍍金膜引出金線，連接到負(fù)電極；器件電光調(diào)Q作用時(shí)采用退壓工作方式。作為本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，第一塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)180°放置的第三塊KTP晶體和相對(duì)第三塊KTP 晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第四塊KTP晶體均為低電導(dǎo)率的KTP晶體。作為本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，第一塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)180°放置的第三塊KTP晶體和相對(duì)第三塊KTP 晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第四塊KTP晶體均采用倍頻II類臨界相位匹配，切割角度為q=90°， j=24. I。。作為本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，第一塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)180°放置的第三塊KTP晶體和相對(duì)第三塊KTP 晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第四塊KTP晶體的通光面為正方形。作為本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，第一塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)180°放置的第三塊KTP晶體和相對(duì)第三塊KTP 晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第四塊KTP晶體相對(duì)的內(nèi)通光面用絕緣透明的光膠相連，外通光面鍍 1064nm和532nm雙色增透膜。作為本專利技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，第一塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體、相對(duì)第一塊KTP晶體旋轉(zhuǎn)180°放置的第三塊KTP晶體和相對(duì)第三塊KTP 晶體旋轉(zhuǎn)90°放置的第四塊KTP晶體依次放置，中間間隔Imm左右，內(nèi)通光面和外通光面鍍 1064nm和532nm雙色增透膜。本專利技術(shù)實(shí)現(xiàn)以上目的原理為KTP晶體倍頻II類臨界相位匹配的切割角度為q=90°，j=24. 1°，此種切割方式下光波在在單塊KTP晶體中的傳播存在自然雙折射和走離角，本專利技術(shù)采用四塊完全相同的KTP 晶體，以旋轉(zhuǎn)一定角度串接的方式補(bǔ)償走離角和靜態(tài)相位延遲。偏振光通過(guò)單塊KTP晶體時(shí)產(chǎn)生的相位延遲為權(quán)利要求1.一種能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件，包括外殼、電極、電光晶體，其特征在于 電光晶體包括四塊以II類臨界相位匹配角度切割的KTP晶體，從左到右依次設(shè)置第一塊KTP晶體(I);相對(duì)第一塊KTP晶體(I)旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體(2);相對(duì)于第一塊KTP晶體(I)旋轉(zhuǎn)180°旋轉(zhuǎn)放置的第三塊KTP晶體(3);相對(duì)于第三塊KTP晶體(3)旋轉(zhuǎn)90 °放置的第四塊KTP晶體(4 ); 在第一塊KTP晶體(I)的上通電面鍍金膜(5)，下通電面鍍金膜(6)，在第二塊KTP晶體(2 )的前通電面鍍金膜(7 )，后通電面鍍金膜(8 )，在第三塊KTP晶體(3 )的上通電鍍金膜(9)，下通電鍍金膜(10)，在第四塊KTP晶體(4)的前通電鍍金膜(11)，后通電鍍金膜(12)；從第一塊KTP晶體的上通電面鍍金膜(5)、第二塊KTP晶體的前通電面鍍金膜(7)、第三塊KTP晶體的下通電面鍍金膜(10)和第四塊KTP晶體的后通電面鍍金膜(12)引出金線，連接到正電極(13);從第一塊KTP晶體的下通電面鍍金膜(6)、第二塊KTP晶體的后通電面鍍金膜(8)、第三塊KTP晶體的上通電面鍍金膜(9)和第四塊KTP晶體的前通電面鍍金膜(11)引出金線，連接到負(fù)電極(14);器件電光調(diào)Q作用時(shí)采用退壓工作方式。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件，其特征在于 第一塊KTP晶體(I)、相對(duì)第一塊KTP晶體(I)旋本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種能倍頻的KTP電光調(diào)Q器件，包括外殼、電極、電光晶體，其特征在于：電光晶體包括四塊以Ⅱ類臨界相位匹配角度切割的KTP晶體，從左到右依次設(shè)置第一塊KTP晶體（1）；相對(duì)第一塊KTP晶體（1）旋轉(zhuǎn)90°放置的第二塊KTP晶體（2）；相對(duì)于第一塊KTP晶體（1）旋轉(zhuǎn)180°旋轉(zhuǎn)放置的第三塊KTP晶體（3）；相對(duì)于第三塊KTP晶體（3）旋轉(zhuǎn)90°放置的第四塊KTP晶體（4）；在第一塊KTP晶體（1）的上通電面鍍金膜（5），下通電面鍍金膜（6），在第二塊KTP晶體（2）的前通電面鍍金膜（7），后通電面鍍金膜（8），在第三塊KTP晶體（3）的上通電鍍金膜（9），下通電鍍金膜（10），在第四塊KTP晶體（4）的前通電鍍金膜（11），后通電鍍金膜（12）；從第一塊KTP晶體的上通電面鍍金膜（5）、第二塊KTP晶體的前通電面鍍金膜（7）、第三塊KTP晶體的下通電面鍍金膜（10）和第四塊KTP晶體的后通電面鍍金膜（12）引出金線，連接到正電極（13）；從第一塊KTP晶體的下通電面鍍金膜（6）、第二塊KTP晶體的后通電面鍍金膜（8）、第三塊KTP晶體的上通電面鍍金膜（9）和第四塊KTP晶體的前通電面鍍金膜（11）引出金線，連接到負(fù)電極（14）；器件電光調(diào)Q作用時(shí)采用退壓工作方式。...

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張玉萍，張會(huì)云，張洪艷，吳志心，申端龍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：山東科技大學(xué)，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：