溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
一種制造集成電路的方法，包括：提供半導體襯底并且在該半導體襯底的上方形成柵極電介質(例如，高-k電介質)。在半導體襯底和柵極電介質的上方形成金屬柵極結構，并且在該金屬柵極結構的上方形成薄電介質膜。該薄電介質膜包含與金屬柵極的金屬相結合的氮氧...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
一種制造集成電路的方法，包括：提供半導體襯底并且在該半導體襯底的上方形成柵極電介質(例如，高-k電介質)。在半導體襯底和柵極電介質的上方形成金屬柵極結構，并且在該金屬柵極結構的上方形成薄電介質膜。該薄電介質膜包含與金屬柵極的金屬相結合的氮氧...