溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
MOSFET包括半導體襯底，具有：頂面；第一導電類型的體區，位于所述半導體襯底中；以及雙擴散區DDD區，具有低于體區的底面的頂面。DDD區為第二導電類型，第二導電類型與第一導電類型相反。MOSFET進一步包括：柵極氧化物，和通過柵極氧化物與...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
MOSFET包括半導體襯底，具有：頂面；第一導電類型的體區，位于所述半導體襯底中；以及雙擴散區DDD區，具有低于體區的底面的頂面。DDD區為第二導電類型，第二導電類型與第一導電類型相反。MOSFET進一步包括：柵極氧化物，和通過柵極氧化物與...