溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
一種半導體技術領域的準SOI結構的制造方法，包括：提供襯底，所述襯底包括中間區域和邊緣區域，所述中間區域的上表面高于所述邊緣區域的上表面；在所述邊緣區域的上表面、所述中間區域的側表面和上表面形成絕緣層；去除所述邊緣區域上表面邊緣部分對應的絕...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
一種半導體技術領域的準SOI結構的制造方法，包括：提供襯底，所述襯底包括中間區域和邊緣區域，所述中間區域的上表面高于所述邊緣區域的上表面；在所述邊緣區域的上表面、所述中間區域的側表面和上表面形成絕緣層；去除所述邊緣區域上表面邊緣部分對應的絕...