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本發明涉及半導體技術。本發明解決了現有具有槽柵超結的半導體功率器件的制造工藝難度較大的問題，提供了一種縱向功率半導體器件的制造方法，其技術方案可概括為：首先外延形成第一半導體區，在其頂部生長氧化層及淀積掩蔽層，并進行光刻，刻蝕形成第一溝槽，...
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