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本實用新型公開了一種低活度鈷-60棒狀料位源,包括包殼、密封塞及源芯,所述包殼的一端封口,所述包殼的另一端與所密封塞固定連接,所述源芯設于所述包殼內,所述濾芯的表面設有鈷-60鍍層。所述源芯的鈷-60活度為111MBq~300MBq,所述源...該專利屬于成都中核高通同位素股份有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過成都中核高通同位素股份有限公司授權不得商用。
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本實用新型公開了一種低活度鈷-60棒狀料位源,包括包殼、密封塞及源芯,所述包殼的一端封口,所述包殼的另一端與所密封塞固定連接,所述源芯設于所述包殼內,所述濾芯的表面設有鈷-60鍍層。所述源芯的鈷-60活度為111MBq~300MBq,所述源...