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一種多晶硅電阻器結(jié)構(gòu)及其制造方法、多晶硅電阻器。多晶硅電阻器結(jié)構(gòu)制造方法包括：在硅片中形成隔離區(qū)；在隔離區(qū)上形成第一多晶硅層的側(cè)壁及第一多晶硅層；在第一多晶硅層上形成隔離物及第二多晶硅層，其中所述隔離物與第二多晶硅層不完全覆蓋第一多晶硅層的...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過上海宏力半導體制造有限公司授權(quán)不得商用。