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本發(fā)明涉及一種SnO2納米錐陣列的低溫化學氣相沉積制備方法，是以易揮發(fā)的SnCl2·2H2O作錫源，在560～610℃的馬弗爐內反應，生成大面積的SnO2納米錐陣列，所制備的SnO2納米錐陣列可直接生長在FTO導電玻璃上，其工藝簡單、反應條...該專利屬于陜西師范大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過陜西師范大學授權不得商用。
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本發(fā)明涉及一種SnO2納米錐陣列的低溫化學氣相沉積制備方法，是以易揮發(fā)的SnCl2·2H2O作錫源，在560～610℃的馬弗爐內反應，生成大面積的SnO2納米錐陣列，所制備的SnO2納米錐陣列可直接生長在FTO導電玻璃上，其工藝簡單、反應條...