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本發明涉及一種清洗深硅刻蝕工藝后的圓片的方法，其包括以下步驟：用BOE和EG混合溶劑漂洗圓片；用表面活性劑清洗圓片，再噴淋甩干圓片；去除圓片上的光刻膠；再次用BOE與EG漂洗；以及使用去離子水清洗圓片。本發明涉及的清洗方法可實現對圓片上殘留...該專利屬于美新半導體（無錫）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過美新半導體（無錫）有限公司授權不得商用。
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