【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種清洗深硅刻蝕工藝后的圓片的方法，其特征在于：其包括以下步驟：用BOE和EG混合溶劑漂洗圓片；用表面活性劑清洗圓片，再噴淋甩干圓片；去除圓片上的光刻膠；再次用BOE與EG漂洗；以及使用去離子水清洗圓片。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐乃濤，
申請(專利權)人：美新半導體無錫有限公司，
類型：發明
國別省市：
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