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提供了用于在處理腔室中制造半導體器件的方法。在一個實施例中，一種方法包括下列步驟：在襯底上沉積第一基底材料，第一基底材料具有第一組互連特征；以可灰化材料填充第一組互連特征的上部；平坦化第一基底材料的上表面，使得填充在第一組互連特征中的可灰化...
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