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本發明涉及一種半導體器件的制作方法，包括:提供襯底，且襯底上形成待刻蝕層；在待刻蝕層上形成硬掩膜層；硬掩膜層包括氮化鈦層和形成在氮化鈦層上的氮化硼層。硬掩膜層的厚度為200埃~500埃。氮化硼層的厚度大于氮化鈦層的厚度。本發明的利用改進的硬...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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