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一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有柵導(dǎo)體層和位于柵導(dǎo)體層兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)。在半導(dǎo)體襯底上形成蝕刻停止層。在蝕刻停止層上形成LTO層。化學(xué)機(jī)械平坦化所述LTO層。在平坦化的LTO層上形成SOG層，所述蝕刻停...該專利屬于中國科學(xué)院微電子研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國科學(xué)院微電子研究所授權(quán)不得商用。