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本發明是有關于一種記憶體結構，其區分為記憶胞區與非記憶胞區，且包括：多個記憶胞以及導體材料。多個記憶胞設置于記憶胞區中，且在此些記憶胞中具有多個第一凹部。導體材料跨越記憶胞區與非記憶胞區并覆蓋記憶胞且深入多個第一凹部。藉此，本發明的記憶體結...
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