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CMOS半導體器件的金屬柵極結構及其形成方法。本發明涉及集成電路制造，并且更具體地來說，涉及金屬柵極結構。一種CMOS半導體器件的示例性結構包括襯底、N-金屬柵電極以及P-金屬柵電極。該襯底包括包圍著P-有源區域和N-有源區域的隔離區域。該...
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