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本發明的實施例提供了一種MOS晶體管，包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底表面的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層表面的柵電極層；位于所述柵絕緣層和柵電極層兩側、且位于所述半導體襯底表面的側墻；及位于所述柵絕緣層和柵電極層兩側、且位于所述半導體襯底...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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