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本發明公開了一種基于SiC襯底的石墨烯CVD直接外延生長方法，采用半導體SiC作為襯底，通過對SiC襯底進行合理的預處理，調節生長壓力，流量以及溫度，在SiC上面直接生長石墨烯，無需金屬作為催化劑，生長的石墨烯無需轉移過程，便可以直接用于制...
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