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本實用新型提出一種全新的6管SRAM單元結構，此結構采用讀寫分開技術，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且此結構在數據保持狀態下，采用漏電流以及正反饋保持數據，從而不需要數據的刷新來維持數據。仿真顯示了正確的讀寫功能，并且讀寫速度和6管...該專利屬于南京理工大學常熟研究院有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過南京理工大學常熟研究院有限公司授權不得商用。
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本實用新型提出一種全新的6管SRAM單元結構，此結構采用讀寫分開技術，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且此結構在數據保持狀態下，采用漏電流以及正反饋保持數據，從而不需要數據的刷新來維持數據。仿真顯示了正確的讀寫功能，并且讀寫速度和6管...