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本發(fā)明公開了一種非易失性存儲器件，包括：第一和第二垂直溝道層，其實(shí)質(zhì)上平行地從半導(dǎo)體襯底大致地向上突出；第一柵極組，其被配置成包括多個(gè)存儲器單元柵，所述多個(gè)存儲器單元柵實(shí)質(zhì)上沿第一垂直溝道層層疊并且通過實(shí)質(zhì)上插入在存儲器單元柵之間的層間絕緣...該專利屬于愛思開海力士有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過愛思開海力士有限公司授權(quán)不得商用。