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制備具有表面的碳化硅襯底。通過執行通過表面到碳化硅襯底中的離子注入而形成雜質區（123至125）。執行用于活化雜質區的退火。退火包括：利用具有第一波長的第一激光照射碳化硅襯底的表面的步驟，以及利用具有第二波長的第二激光照射碳化硅襯底的表面的...
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