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一種雙柵四端III族氮化物增強型HEMT器件的封裝結構，包括基座以及，安裝在基座上的HEMT器件，該器件包括異質結構以及通過異質結構中的二維電子氣形成電連接的源、漏極，該異質結構包括：設置于源、漏極之間的第一半導體，形成于第一半導體表面的第...
該專利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所授權不得商用。

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