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本發明公開一種具有金屬柵極的半導體元件的制作方法，首先提供一表面形成有一第一晶體管與一第二晶體管的基底，且該第一晶體管內形成有一第一柵極溝槽。該第一晶體管具有一第一導電型式，該第二晶體管具有一第二導電型式，且該第一導電型式與該第二導電型式相...
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