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本發明實施例公開了一種IGBT器件及其制作方法，該方法包括：提供基底，所述基底包括本體層、位于本體層表面內的阱區和源區以及位于本體層表面上的第一柵介質層和柵區；去除部分阱區和源區材料，保留柵區下方的源區材料和部分柵區之外的源區材料，以在本體...
該專利屬于中國科學院微電子研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所授權不得商用。

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