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本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法包括：提供SOI襯底，并在所述SOI襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；刻蝕所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述SOI襯底的SOI層和BOX層，以形成暴露所述BOX層的溝槽，該溝槽部分進入所述BOX層；在所述溝槽內(nèi)形成金屬層，...該專利屬于中國科學(xué)院微電子研究所;北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國科學(xué)院微電子研究所;北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司授權(quán)不得商用。