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一種存儲器、存儲陣列的編程控制方法及裝置，所述存儲陣列中，同一列的存儲單元共用一條位線，同一行的存儲單元共用一條字線，每兩行存儲單元共用一條源線；所述編程控制方法包括：施加字線編程電壓至與目標存儲單元連接的字線，施加0V電壓至與所述目標存儲...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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