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本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：SOI襯底和位于所述SOI襯底上的MOSFET；所述SOI襯底自上而下包括SOI層、第一絕緣埋層、半導(dǎo)體埋層、第二絕緣埋層以及半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體埋層中包含背柵區(qū)，所述背柵區(qū)為所述...該專利屬于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中國(guó)科學(xué)院微電子研究所授權(quán)不得商用。