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本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括襯底、半導(dǎo)體基體、半導(dǎo)體輔助基體層、空腔、柵極堆疊、側(cè)墻、源/漏區(qū)，其中所述柵極堆疊位于所述半導(dǎo)體基體之上，所述側(cè)墻位于所述柵極堆疊的側(cè)壁上，所述源/漏區(qū)嵌于所述半導(dǎo)體基體中，并位于所述柵極堆疊的兩側(cè)，...該專利屬于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司授權(quán)不得商用。