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本發(fā)明公開了一種基于自對準工藝的應(yīng)變SiGe垂直溝道Si基BiCMOS集成器件及制備方法，其過程為：在Si襯底片上的雙極器件區(qū)域制造雙多晶SiGe?HBT；在襯底NMOS器件和PMOS器件有源區(qū)上分別生長N型Si外延層、N型應(yīng)變SiGe層、...該專利屬于西安電子科技大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過西安電子科技大學授權(quán)不得商用。