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本發明提供了一種用于將含金屬覆蓋層集成到半導體器件的銅(Cu)金屬化的方法。在一個實施方式中，該方法包括：提供包含金屬表面和介電層表面且其上具有殘余物的平坦化的圖案化襯底；從所述平坦化的圖案化襯底上除去殘余物；通過將所述介電層表面和所述金屬...
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