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在此描述了用于制造適用于窄間距應用的半導體器件的設備及該半導體器件的制造方法。公開了各種單一腔室，該單一腔室配置以通過氧化材料層表面來形成氧化物層而形成和/或塑形材料層；通過蝕刻工藝來移除至少一些該氧化物層；以及循環地重復該氧化以及移除工藝...
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