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本發明公開了一種基于自對準工藝的混合晶面雙多晶應變BiCMOS集成器件及制備方法，其過程為：在SOI襯底上生長N型Si外延層作為雙極器件集電區，制備深槽隔離，然后依次制備基極多晶、基區、發射區，形成SiGe?HBT器件；在NMOS器件區域刻...
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