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本發明涉及一種兼容半導體元件的微型懸浮結構及其制造方法，該方法包含在硅基底上方的絕緣層內形成半導體元件及微機電結構，微機電結構包含彼此獨立的微結構與兼容連接件，兼容連接件電性連接半導體元件與微機電結構。接著，由前述絕緣層朝硅基底進行第一次蝕...
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