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本發明涉及半導體電子器件技術領域，具體涉及一種發光二極管及發光裝置。發光二極管至少包括：N型層；有源層，自下而上具有相對設置的第一表面和第二表面，第一表面靠近N型層；P型層，位于有源層的上方，且靠近第二表面；其中，有源層具有交替堆疊的若干個...
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