【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體電子器件，特別涉及一種發光二極管及發光裝置。
技術介紹
1、發光二極管（led）是一種將電能轉化為光能的發光器件，目前已廣泛應用于生活中。在照明領域，人們已經不滿足于照亮環境的基本功能，而是追求更高品質的、更健康舒適的照明光源。
2、當前，通常利用藍光發光二極管（led）來激發熒光粉，以產生白光作為照明或顯示光源。在實際使用中，同一產品因不同用戶的使用環境（如溫度等）?不同會產生差異。同時，由于藍光在光譜中的占比較高，導致所產生的白光光譜與自然光光譜存在一定差異而影響該類照明光源產品的視覺效果。
3、因此，如何使藍光發光二極管產生的藍光光譜更接近于自然光源，從而使其與熒光粉結合后所產生的白光光譜更接近于自然光光譜，一直是本領域技術人員努力探索的方向。例如，在未來的研究中，我們將繼續努力優化藍光發光二極管的設計和熒光粉的配方等，以實現更接近自然光的白光光譜，為人類創造更加舒適和自然的照明環境。
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題在于改善白光發光二極管的白光光譜中的藍光峰值，改善現有技術中各波段強度不同和穩定度不佳的問題，使得白光光譜更接近于自然光光譜。
2、為解決上述的技術問題，本專利技術提供了一種發光二極管，其可以產生寬光譜、低藍光峰值的波段，以改善發光二極管在白光光譜中藍光波段的波形突變，進而提升全光譜白光光源各項指標的穩定性。
3、為達所述優點至少其中之一或其他優點，本專利技術提供了一種發光二極管，
4、在一些實施例中，在第二阱層組、第三阱層組和第四阱層組中，最大的銦濃度與最小的銦濃度差值為不大于2e20atoms/cm3。
5、在一些實施例中，在第二阱層組、第三阱層組和第四阱層組中，最大的銦濃度與最小的銦濃度差值為不小于1e20atoms/cm3。
6、在一些實施例中，第二阱層組中銦濃度的范圍為不小于5e20atoms/cm3、不大于1e21atoms/cm3。
7、在一些實施例中，若干個勢阱層還包括第一阱層組，第一阱層組與第二阱層組至第四阱層組具有不同的銦濃度。第一阱層組至第四阱層組在有源層中沿第一表面向第二表面排列分布。第一阱層組中勢阱層的數量為1～2個。
8、在一些實施例中，第二阱層組中銦的組分含量為b、第三阱層組中銦的組分含量為c、第四阱層組中銦的組分含量為d，其中，b>c>d。
9、在一些實施例中，第二阱層組中各個勢阱層中銦的組分含量為15％～22％，第三阱層組和第四阱層組中各個勢阱層中銦的組分含量為12％～15％。
10、在一些實施例中，若干個勢阱層還包括第一阱層組，第一阱層組中銦的組分含量為a，其中，b>c>a>d；第一阱層組中各個勢阱層中銦的組分含量為15％～22％。
11、在一些實施例中，第二阱層組中銦濃度為e2、第三阱層組中銦濃度為e3、第四阱層組中銦濃度為e4，其中，e2、e3和e4均不小于3e20atoms/cm3、不大于1e21atoms/cm3。
12、在一些實施例中，若干個勢阱層還包括第一阱層組，第一阱層組中銦濃度e1為不小于3e20atoms/cm3、不大于1e21atoms/cm3。
13、在一些實施例中，第二阱層組和第三阱層組中勢阱層的總數不超過10個，第四阱層組中勢阱層的總數不小于6個。
14、在一些實施例中，第二阱層組中勢阱層的數量大于第三阱層組中勢阱層的數量。
15、在一些實施例中，每一個勢壘層的厚度大于任意一個勢阱層的厚度；每一個勢壘層的厚度范圍為80埃至120埃，每一個勢阱的厚度范圍為20埃至50埃。
16、在一些實施例中，勢壘層為n型摻雜。在一些實施例中，勢壘層中n型摻雜的摻雜濃度為不大于1e18atoms/cm3。
17、為達所述優點至少其中之一或其他優點，本專利技術還提供一種發光裝置，至少包括如前任一所述的發光二極管。
18、本專利技術提供的一種發光二極管及發光裝置，與現有的常規或三波段的發光二極管相比，至少具有以下優點：
19、1、發光二極管作為照明等的白光光源時，白光光譜中的藍光能夠實現平緩驟降，而不是呈現急劇驟降，同時青色光有所增加，達到更好的全光譜效果，使得發光二極管的光譜為接近自然光的白光光譜。
20、2、發光二極管中有源層的發光設為三個波段，與現有的產品相比，能起到減緩藍光驟降的效果，使得白光光譜中不同光色的波段更為平緩與穩定。
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1.一種發光二極管，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在所述第二阱層組、所述第三阱層組和所述第四阱層組中，最大的銦濃度與最小的銦濃度差值為不大于2E20atoms/cm3。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在所述第二阱層組、所述第三阱層組和所述第四阱層組中，最大的銦濃度與最小的銦濃度差值為不小于1E20atoms/cm3。
4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中銦濃度的范圍為不小于5E20atoms/cm3、不大于1E21atoms/cm3。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，若干個所述勢阱層還包括第一阱層組，所述第一阱層組與所述第二阱層組至所述第四阱層組具有不同的銦濃度；所述第一阱層組至所述第四阱層組沿所述第一表面向所述第二表面排列分布。
6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述第一阱層組中所述勢阱層的數量為1～2個。
7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中銦的組分含量為B、所
8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中各個所述勢阱層中銦的組分含量為15％～22％，所述第三阱層組和所述第四阱層組中各個所述勢阱層中銦的組分含量為12％～15％。
9.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，若干個所述勢阱層還包括第一阱層組，所述第一阱層組中銦的組分含量為A，其中，B>C>A>D；所述第一阱層組中各個所述勢阱層中銦的組分含量為15％～22％。
10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中銦濃度為E2、所述第三阱層組中銦濃度為E3、所述第四阱層組中銦濃度為E4，其中，E2、E3和E4均不小于3E20atoms/cm3、不大于1E21atoms/cm3。
11.根據權利要求10所述的發光二極管，其特征在于，若干個所述勢阱層還包括第一阱層組，所述第一阱層組中銦濃度為E1為不小于3E20atoms/cm3、不大于1E21atoms/cm3。
12.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組和所述第三阱層組中所述勢阱層的總數不超過10個，所述第四阱層組中所述勢阱層的總數不小于6個。
13.根據權利要求12所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中所述勢阱層的數量大于所述第三阱層組中所述勢阱層的數量。
14.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，每一個所述勢壘層的厚度大于任意一個所述勢阱層的厚度；每一個所述勢壘層的厚度范圍為80埃至120埃，每一個所述勢阱層的厚度范圍為20埃至50埃。
15.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述勢壘層為N型摻雜。
16.根據權利要求15所述的發光二極管，其特征在于，所述N型摻雜的摻雜濃度為不大于1E18atoms/cm3。
17.一種發光裝置，其特征在于，至少包括如權利要求1至16中任意一項所述的發光二極管。
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極管，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在所述第二阱層組、所述第三阱層組和所述第四阱層組中，最大的銦濃度與最小的銦濃度差值為不大于2e20atoms/cm3。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在所述第二阱層組、所述第三阱層組和所述第四阱層組中，最大的銦濃度與最小的銦濃度差值為不小于1e20atoms/cm3。
4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中銦濃度的范圍為不小于5e20atoms/cm3、不大于1e21atoms/cm3。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，若干個所述勢阱層還包括第一阱層組，所述第一阱層組與所述第二阱層組至所述第四阱層組具有不同的銦濃度；所述第一阱層組至所述第四阱層組沿所述第一表面向所述第二表面排列分布。
6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述第一阱層組中所述勢阱層的數量為1～2個。
7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中銦的組分含量為b、所述第三阱層組中銦的組分含量為c、所述第四阱層組中銦的組分含量為d，其中，b>c>d。
8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，所述第二阱層組中各個所述勢阱層中銦的組分含量為15％～22％，所述第三阱層組和所述第四阱層組中各個所述勢阱層中銦的組分含量為12％～15％。
9.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，若干個所述勢阱層還包括第一阱層組，所述第一...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳志豪，董金礦，李家安，李政鴻，林兓兓，
申請(專利權)人：安徽三安光電有限公司，
類型：發明
國別省市：
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