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本發明提供一種SCR結構,通過將第一P型重摻雜區設置在第一N型重摻雜區中,即兩者為互相接觸的狀態,同時將第一P型重摻雜區分為多個間隔設置的第一P型重摻雜區,使得多個第一P型重摻雜區的側面被第一N型重摻雜區包圍,有效提高了SCR結構中PNP三...該專利屬于矽力杰半導體技術(杭州)有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過矽力杰半導體技術(杭州)有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種SCR結構,通過將第一P型重摻雜區設置在第一N型重摻雜區中,即兩者為互相接觸的狀態,同時將第一P型重摻雜區分為多個間隔設置的第一P型重摻雜區,使得多個第一P型重摻雜區的側面被第一N型重摻雜區包圍,有效提高了SCR結構中PNP三...