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本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供襯底；執(zhí)行第一有源區(qū)的P阱離子注入；在第一有源區(qū)的襯底上形成第一柵極層；在第二有源區(qū)的襯底上形成第二柵極層；執(zhí)行無(wú)掩膜N型漏極輕摻雜離子注入；同一光罩下執(zhí)行第二有源區(qū)的N阱離子注入和P型漏極輕摻...該專利屬于上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。