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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和硬掩膜，通過在在襯底上依次交替沉積隔離層和導(dǎo)電層形成堆疊層，在堆疊層上沉積第一介質(zhì)層，并對第一介質(zhì)層通過圖案化，刻蝕等多工藝的處理，做出具有兩種不同遮光圖形的硬掩膜后，再通過刻蝕、沉積等工藝，做出包括多...該專利屬于北京超弦存儲器研究院所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過北京超弦存儲器研究院授權(quán)不得商用。