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本發(fā)明揭露了一種半導(dǎo)體器件柵氧化層完整性的測試結(jié)構(gòu)，包括：有源區(qū)；所述多個淺槽隔離為塊狀，設(shè)置于所述有源區(qū)中；所述多個柵極結(jié)構(gòu)平行間隔的覆蓋于所述淺槽隔離上。利用本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件柵氧化層完整性的測試結(jié)構(gòu)可以監(jiān)測出多晶硅柵邊緣和淺槽隔離...該專利屬于上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司授權(quán)不得商用。