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本發明公開一種半導體元件以及一種半導體元件的制造方法，所述半導體元件包括基底以及柵極結構。基底具有溝槽。柵極結構設置于溝槽中，且包括遮蔽柵極、控制柵極、第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層。遮蔽柵極包括下部柵極以及上部柵極。下部柵極包括由多...該專利屬于力晶積成電子制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過力晶積成電子制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種半導體元件以及一種半導體元件的制造方法，所述半導體元件包括基底以及柵極結構。基底具有溝槽。柵極結構設置于溝槽中，且包括遮蔽柵極、控制柵極、第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層。遮蔽柵極包括下部柵極以及上部柵極。下部柵極包括由多...