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本發明實施例涉及一種溝槽柵晶體管及其制備方法，溝槽柵晶體管包括：半導體材料層、柵極溝槽、柵極、柵介質層、第一電場屏蔽結構和第二電場屏蔽結構；第一電場屏蔽結構和柵介質層在柵極溝槽的側壁所在的平面上的投影至少部分重合；第二電場屏蔽結構和柵介質層...該專利屬于中芯越州集成電路制造（紹興）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯越州集成電路制造（紹興）有限公司授權不得商用。
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